龍咳科技最新資訊(龍咳是什么意思)下載
前言
充電頭網詳細總結龍咳科技最新資訊了2023年6月至10月期間，涵蓋龍咳科技最新資訊了四家主要氮化鎵制造企業的行業近況新聞事件，這份報告提供了深入洞察這個具有關鍵意義的領域的發展動態，通過對每家企業的事件以及狀況進行深入分析，可為用戶提供關于氮化鎵產業近況的全面了解。
以下排名不分先后，按照品牌首字母排序。
行業近況
Danxitech 氮矽
氮矽科技推出120/240W GaN適配器方案
氮矽科技120W GaN適配器方案
氮矽科技120W GaN適配器方案，主控IC采用的是TEA2017+NCP4318B，搭配DXC1065S2C/DX65F130。
主要參數
尺寸龍咳科技最新資訊：96.51*46.62*21.38mm
效率：94.40%@230V 50Hz
功率密度：1.24W/cm3
GaN型號：DXC1065S2C/DX65F130
封裝：DFN5*6/DFN8*8
氮矽科技240W GaN適配器方案
氮矽科技240W GaN適配器方案，主控IC采用的是TEA2017+NCP4318B，搭配DXC1065S2C/DX65F080。
主要參數
尺寸：146.33*56.14*25.59mm
效率：94.81%@230V 50Hz
功率密度：1.14W/cm3
GaN型號：DXC1065S2C/DX65F080
封裝：DFN5*6/DFN8*8
氮矽科技對氮化鎵功率器件研究進展與應用
功率氮化鎵產業技術路線分為D-mode HEMT 和 E-mode HEMT兩大流派。D-mode HEMT路線將一顆D-mode HEMT與一顆LV Si MOSFET采用Cascode方式相連，代表公司有Transphorm,、PI、鎵未來等。E-mode HEMT路線則只使用一顆E-Mode HEMT晶體管（常使用p-GaN gate方式實現），代表公司有GaN system、Navitas、松下、英諾賽科，氮矽科技、英飛凌等。
展開全文
隨著功率氮化鎵市場的不斷開闊，氮化鎵市場迎來了蓬勃發展，市場規模也在逐步擴大，預計2027年達到20億美元，涉及消費者、汽車、工業、能源等多個領域。
快充領域作為當前功率氮化鎵的最主要的應用領域之一，在未來數年仍具有廣闊的市場空間。除了快充市場外，功率氮化鎵在家電、電源適配器、數據中心、新能源汽車、鋰電池等領域同樣具有巨大的潛在應用市場。
氮矽科技作為一家專注功率氮化鎵功率器件及驅動器研發和銷售的公司，旗下擁有不同系列的芯片產品，分別為氮化鎵晶體管系列、氮化鎵驅動系列、氮化鎵集成驅動系列，還可以提供快充、電源適配器、TV電源等領域的解決方案。
在氮化鎵快充市場中，僅進入其中的知名智能手機品牌就有小米、OPPO、華為、三星、蘋果等，按國內每年超3億部手機出貨量來匯算，芯片需求量超百億顆，不少廠商布局其中。氮矽科技的多款產品中，僅高壓650V器件在2023年第一季度的出貨量就達500W顆，在業內遙遙領先。
氮矽科技推出TO247封裝并集成驅動的氮化鎵器件，攜手淶頓科技和安科訊達成戰略合作
氮矽DXC3065S2TB集成驅動器件助力新款氮化鎵微型逆變器
DXC3065S2TB作為氮矽科技PIIP? GaN系列產品的最新力作，將在此次合作中作為新款氮化鎵微型逆變器的核心功率器件。DXC3065S2TB采用TO247—4封裝，內置 650V 耐壓，80m Ω 導阻，最大漏源極電流30A的增強型氮化鎵晶體管，集成驅動器的開關速度超10MHz，具有零反向恢復損耗。
DXC3065S2TB規格書圖
區別于PIIP? GaN系列的其他產品，氮矽DXC3065S2TB首次在TO系列封裝工藝上采用了埋阻封裝，通過將上拉電阻集成到TO247封裝內，在節省了PCB占板面積的同時保證了開關波形的穩定，此外由于埋阻工藝可以有效減小寄生電感和寄生電阻，具有高可靠性和高效率的特點。
DXC3065S2TB內部電路框圖
支持0~18V的寬電壓輸入范圍
DXC3065S2TB的PWM輸入（IN）電壓范圍為0~18V，幾乎兼容市面所有的PWM控制器的輸出，為電源設計人員提供了極大的便利。
支持UVLO欠壓鎖定功能
DXC3065S2TB的UVLO 閾值為 3.8V，當供電電壓VDD低于UVLO時，內部電路處于待機狀態，直到VDD達到啟動電壓，該功能有效避免了由于電源電壓的波動導致器件誤開啟失效的問題，這也是PIIP? GaN具備高可靠性的主要原因之一。
更高效的能源轉化
DXC3065S2TB可以充分發揮氮化鎵器件高頻和零反向恢復的優勢，最大程度地提高能源的轉換效率，減少能源損耗。
氮矽科技AC-DC氮化鎵集成芯片，為高效電源解決方案注入新活力
DXP8001FA為高效電源解決方案注入新活力
DXP8001FA是一款高度集成的650V、165mΩ GaN AC-DC功率轉換芯片，它通過將高壓GaN與AC-DC控制芯片集成在一起，有效降低了電路設計和調試的難度。這款芯片的優勢在于它可以簡化電路設計、減小PCB占板面積，并降低產品調試的難度。除此之外，它還具有寬VCC工作電壓范圍(9V-85V)，可以覆蓋3.3V-21V的PD/PPS輸出范圍，且無需額外的VCC繞組或線性降壓電路。這些特點使得DXP8001FA成為高效、緊湊、高性價比的功率轉換解決方案。
DXP8001FA應用原理圖
DXP8001FA具有高效、穩定、低損耗、易于使用的特點，有效提升了應用工程師的使用體驗：
1、完善的各項保護及自動恢復功能
VCC過壓/輸出過壓保護
當VCC或輸出電壓超過預設閾值時，過壓保護電路會立即采取行動。會立即停止芯片驅動輸出并進入重啟模式。這種保護措施可以有效避免電路中的元器件過載或損壞，從而避免電路故障或火災等危險情況的發生。
發生保護，停止驅動輸出,開始進入Restart過程
OPP （過功率）保護
通過監測COMP電壓，OPP保護電路判定功率是否超過設定值并采取相應的保護措施。當COMP電壓超過VOPP并持續42ms以上時，芯片判定為OOP保護并進入重啟模式。此保護措施能有效保護設備免受電流過載、短路等多種故障影響，增加產品可靠度與使用壽命。
BROWN IN
在系統啟動過程中，PWM控制器會發送一系列的脈沖進行各種檢測，其中一項就是BROWN IN檢測。在這個階段，如果從FB PIN流出的電流大于IBIN（~95UA），那么芯片就會判定BROWN IN認定條件已經滿足，然后進行正常的啟動過程。如果在 BROWN IN檢測階段未滿足這個條件，那么在發送一系列窄脈沖之后，芯片將會重啟。
BROWN OUT
在芯片的正常工作過程中，當原邊MOS管導通時，會檢測FB引腳的電流。如果該電流小于IBNO（~85UA），并且持續時間≥42毫秒，那么芯片將判斷VBULK電壓過低，發生BROWN OUT現象。在這種情況下，芯片將驅動輸出并進入重啟過程。
CS短路保護
如果GaN管導通3.6微秒后，CS電壓仍未達到VCS_Sh（-50MV）閾值，那么芯片將被迫關閉驅動器。如果這種情祝在連續三個周期內出現，芯片將進入保護和重啟模式?？梢员ＷC芯片的安全和可靠性，并防止進一步的故障發生。
發生保護，停止驅動輸出，開始進入Restart過程
除了上述保護機制，DXP8001FA還提供了其他重要的芯片保護機制，包括輸出同步整流短路保護、過溫保護 (OTP)以及逐周期最大電流限制等。這些保護機制有助于確保芯片的安全性和穩定性，提升芯片的使用壽命以及產品的可靠性。
2、專有的軟啟動電路可以降低SR VDS應力
當電源上電時，由于輸出電壓會瞬間上升，這可能會引起過高的電壓應力，導致器件損壞或降低其壽命。為解決此問題，DXP8001FA采用多段啟動方式，通過逐漸增加輸出電壓，根據不同負載和輸出條件調整工作模式為DCM/QR。在輕載情況下，芯片將進入Burst模式以提高效率。通過采用多段啟動方式和根據負載和輸出條件調整工作模式，DXP8001FA能夠有效地解決電源上電時的問題，并根據實際需求提供高效的電源輸出。
3、超低的寄生電感
當前65W PD充電器的常見解決方案是采用普通的分離控制器與外置GaN相結合。然而，在高頻條件下，這種方案的PCB走線和芯片封裝內部的寄生電感會產生更為嚴重的干擾。與之相比，DXP8001FA芯片內置了等效電路，能夠在高頻條件下僅存在一種寄生電感，從而提高了系統的穩定性。此外，該芯片外圍電路十分簡單，極大減少了產品在進行PCB布局時的時間花費，并降低了產品調試的難度。
4、優化的各點效率-容易滿足能效標準
DXP8001FA采用DFN8×8封裝，有效解決了大功率段設計及應用中芯片溫升較大的問題。其130KHZ的開關頻率使得該芯片適用于各種需要高效率、高功率密度和良好散熱性能的電源產品，如開關電源、適配器、電動汽車充電樁等。針對PD/快速充電的不同輸出電壓需求，它可以調整為在不同負載和輸出條件下工作于DCM/QR模式，并在輕負載條件下工作于突發模式，以提高效率并滿足不同能效標準的需求。
氮矽科技PD65W（2C1A）參考設計
當前，全球范圍內的政府和組織都在強調能源效率提升和碳排放減少的重要性。而在節能電源中，氮化鎵發揮著舉足輕重的作用，其能夠提高效率，降低轉換過程中的功率損失。相較于傳統的硅基MOSFET，GaN集成芯片在器件尺寸、導通電阻以及工作頻率等方面具有顯著優勢。利用GaN集成技術，可以縮小解決方案的整體尺寸，提升效率；同時降低設計難度，使設計人員能夠設計出更高效、緊湊的電源解決方案。
DXP8001FA充分結合高效率、高功率密度、高可靠性和高開關頻率等特性，打破了傳統AC-DC轉換器的局限，極大地簡化了AC-DC轉換器的設計和制造過程。
氮矽科技引領創新：全新低壓氮化鎵集成芯片震撼來襲！
DXC6010S1C為高功率密度應用提供超小型化的解決方案
氮矽科技DXC6010S1C是一款驅動集成氮化鎵芯片，它具有許多出色的特性。這款芯片耐壓100V，內部集成了一顆增強型低壓硅基氮化鎵和單通道高速驅動器。采用DFN5×6封裝，占板面積小，無反向恢復電荷，并且導通電阻極低。為最高功率密度應用提供超小型化的解決方案。
DXC6010S1C以其先進的驅動集成技術脫穎而出，此技術能夠有效保護E-Mode GaN柵極，使之具備高度的可靠性。其輸入電壓范圍為±18V，兼容所有傳統硅控制器，并有效減少了寄生電感，簡化了功率路徑設計。這一設計顯著降低了PCB占板面積，滿足了生產的高效性和性價比的需求。此外，DXC6010S1C還具備UVLO欠壓鎖定功能，能有效防止電源電壓波動導致的器件誤開啟問題，從而有效避免炸機風險。這同樣是其高可靠性的一大原因。
通過驅動集成技術，DXC6010S1C不僅具有超高的可靠性，還兼具了靈活性、可靠性、高效性以及易用性，顯著提升了應用工程師的使用體驗。
在應用方面，DXC6010S1C適用于多種場景，如高頻高功率密度降壓轉換器、DC/DC轉換、AC/DC充電器、太陽能優化器和微型逆變器、電機驅動器和D類音頻放大器等。它也適用于AI、服務器、通信、數據中心等應用場景，特別適合48V工作電壓的USB PD 3.1快充和戶外電源相關應用。
HUAYI 華羿微電
推陳出“芯”！華羿微電功率MOS新升級，為大功率快充提供“芯”動能
HY3210P/MF
HY3210P為100V、6.8mΩ、TO-220FB-3L封裝產品，采用Trench流片工藝。
HY3210P詳細資料。
HY3210MF為100V、6.8mΩ、TO-220MF-3L封裝產品，采用Trench流片工藝。
HY3210MF詳細資料。
HY3210P/MF具有低內阻、導通損耗小的優勢，產品通過100% DVDS測試、100% UIL測試，符合RoHS標準，憑借華羿微電穩定的工藝能力，具有高可靠性，可以有效提升系統效率，適用于電源開關、不間斷電源等應用領域。
Innoscience 英諾賽科
第十代里程碑之作-Oppo Reno10發布，全系采用VGaN
輕薄是 OPPO?Reno?系列最為個性鮮明的設計語言。OPPO Reno10 系列通過外部整體的機身設計和內部空間模塊的高效堆疊，兼顧長焦鏡頭和大電池，打造輕薄舒適的手感。
值得一提的是，該系列全系產品均內置了英諾賽科新型低壓氮化鎵 VGaN，以此替代傳統手機內部的兩顆背靠背SiMOS，實現更低導通損耗的手機電池充、放電功能，并節省手機內部空間。這也成為 Reno10 系列實現輕薄的重要方式之一。
據了解，Reno 10 系列內置的VGaN 為英諾賽科40V 低壓芯片 INN040W048A，該芯片支持雙向導通，具備超高開關速度、導通電阻極低、無反向恢復等特性。不僅可以讓手機內部空間得到高效利用，還能降低手機在充電過程中的溫升，在快速充電時保持比較舒適的機身溫度，延長電池使用壽命。
具體來看，OPPO Reno10 系列手機采用“VGaN技術 + 高效空間堆疊工藝”，為手機內部騰出了寶貴空間，由此將等效 4600mAh/4700mAh 的大電池放入極致輕薄的機身。
同時，得益于?OPPO 自研的 SUPERVOOC?S?電源管理芯片對內部氮化鎵 VGaN 的直接驅動，節省了 45% 的快充器件面積，從而支持 80W/100W 超級閃充，使續航能力和快充速率大大增強。輕松實現充電5分鐘，刷劇3小時，27分鐘迅速滿血的暢快體驗。
1KW電源模塊采用InnoGaN，實測效率超98%
隨著“雙碳”概念的深入，智能化、低碳化越來越成為數據中心的兩大“確定性”發展趨勢，而低碳化就意味著要讓數據中心能耗更低、效率更高。據行家說Research顯示，現有數據中心（Si方案）整體功率轉換能效大約為75%，而采用GaN器件則能提升到87.5%。其中，DCDC 48V-12V 環節在整個鏈路中扮演了重要角色。
繼420W 48V-5V、600W 48V-12V DCDC電源模塊后，英諾賽科又推出一款1000W 方案，利用氮化鎵寄生結電容小的特點，配合磁集成方案，將開關頻率提升至1MHz，在39mm*26mm*7.5mm的尺寸下，輸出功率達到1000W，效率超98%，實現了高效率和高功率密度優勢。
主要參數
尺寸
39mm*26mm*7.5mm
效率
峰值效率：98.0%@12V/30A
滿載效率：96.29%@12V/85A
功率密度
2150W/in^3
InnoGaN
ISG3201 ×2
INN040LA015A ×8
拓撲結構
1000W DCDC 電源模塊的拓撲結構為全橋 LLC DCX，固定變比為4：1，支持 48V 輸入轉 12V 輸出，采用英諾賽科兩顆100V SolidGaN系列的 ISG3201 和八顆INN040LA015A 低壓 GaN 芯片搭配設計。
效率數據
通過實際測試，在輸入電壓48V、輸出12V/30A 時，峰值效率達到 98%；在輸入電壓 48V、輸出12V/85A 時，滿載效率 96.29%。
器件性能
1000W DCDC電源模塊采用了兩款 InnoGaN 氮化鎵芯片設計而成，實現系統的高功率轉換。
SolidGaN ISG3201 是一顆耐壓 100V 的半橋氮化鎵合封芯片，其內部集成了2顆 100V/3.2mΩ 的增強型 GaN 和1顆 100V 半橋驅動，通過內部集成驅動器，優化驅動回路和功率回路，顯著降低寄生電感和開關尖峰, 進一步提高1000W 48V 電源模塊系統的整體性能和可靠性。產品面積（5mmx6.5mm）僅略大于單顆標準 5x6 Si 器件，相對于Si方案的PCB占板面積減小了73%。針對諧振軟開關應用，GaN 的軟開關FOM 僅為 Si 的45%，這就意味著在高頻軟開關應用中，100V GaN 的性能更加優越。
同時，該芯片還具有獨立的高側和低側PWM信號輸入，并支持TTL電平驅動，可由專用控制器或通用MCU進行驅動控制，是數據中心模塊電源，電機驅動以及D類功率放大器等48V電源系統的最佳選擇。
INN040LA015A 是一顆耐壓 40V 導阻 1.5mΩ 的增強型氮化鎵晶體管，采用FCLGA 5*4 封裝，體積小巧，同時具備極低柵極電荷和導通電阻，且反向恢復電荷為零，不僅可以降低占板面積，支持1000W DCDC模塊的高功率密度設計，更高的開關頻率還能為系統提供更高的動態響應，為綠色數據中心賦能。
方案優勢
高效率：98.0% @48V-12V /30A
高頻率：1MHz
高功率密度：2150W/in^3
超小體積：39mm*26mm*7.5mm
未來的數據中心將以更高效、更綠色和更智能的方式為客戶提供服務，1000W DCDC 電源模塊能夠使數據中心發揮高功率密度、低損耗等巨大優勢，氮化鎵作為實現綠色能源的核心器件，也將為數字化時代的到來提供有力支撐。
摩托羅拉強勢回歸！Edge 40首創全鏈路GaN，實現快充自由
據介紹，摩托羅拉Edge 40手機內部采用的英諾賽科 VGaN 雙向導通氮化鎵芯片（40V/4.8mΩ），其具備無體二極管、低導通阻抗等特性，到目前為止是全球唯一內置到手機主板，并實現終端量產的氮化鎵芯片。其原理是利用一顆VGaN 代替傳統手機內部的兩顆背靠背Si MOS，實現了更低導通損耗的手機電池充、放電功能，保證手機在充電過程中更高效，更安全。
該產品已于2022年被評為第十七屆“中國芯”優秀技術創新產品，并在OPPO，Realme，一加等品牌的多款手機中成功量產。
而在標配充電器方面，Edge 40 的 68W充電器最高輸出功率68.2W，不管在手機還是筆記本都有不錯的兼容性。其內部采用的氮化鎵器件（定制產品INN650DAL02A）同樣來自英諾賽科。
該芯片封裝為 DFN 5*6，支持超高開關頻率，具備低 Qg，低Co(tr)，無反向恢復損耗 Qrr 等特性，為Edge 40 標配的 68W 充電器實現小體積、高效率的設計。據充電頭網測評顯示，摩托羅拉 68W 充電器功率密度達 1.01W/cm3，輕松執于掌心，算得上是手機官配里的良心制作了。
英諾賽科2款 FCQFN 150V 產品打入工業應用市場
英諾賽科基于150V電壓平臺推出了 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 兩款中低壓 GaN，該平臺產品滿足工業級可靠性要求，主要應用于太陽能系統優化器和微型逆變器，PD充電器與PSU同步整流、通信電源、電機驅動和高頻DC-DC轉換器等。
首款產品 INN150FQ032A 采用 FCQFN 4mmx6mm 封裝，體積小巧，且開關損耗低，具有良好的效率表現，目前已成功量產?；?50V電壓平臺技術，英諾賽科近日再次強勢推出 150V/7mΩ 器件 INN150FQ070A，采用 FCQFN 4mmX6mm Pin to pin 兼容引腳設計，已通過小批量試產，客戶可基于不同應用需求進行規格選型。
INN150FQ032A & INN150FQ070A 產品特性
l 工業級應用
l 超低的柵極電荷
l 超低導通電阻
l 小體積，FCQFN封裝 4mmx6mm
INN150FQ032A & INN150FQ070A 應用領域
l 高頻DC-DC轉換器
l 太陽能系統優化器和微型逆變器
l PD充電器和PSU同步整流
l 通信電源
l 電機驅動
INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 延續了 InnoGaN 導通電阻低、開關速度快、無反向恢復等諸多特性，在太陽能系統優化器和微型逆變器，PD充電器與PSU同步整流、通信電源、電機驅動和高頻DC-DC轉換器等應用中，更能充分地體現其高頻高效、低導阻等優越特性。
INN150FQ032A規格書首頁
INN150FQ070A規格書首頁
英諾賽科150V Single GaN 系列推出的兩款不同導通電阻FCQFN封裝芯片，不僅為客戶設計選型提供更多參考，且有力推進了氮化鎵在工業領域的應用。
基于大規模8英寸硅基氮化鎵技術的研發、制造與迭代，英諾賽科的產品質量和成本優勢均已在行業中得到體現。消費電子是氮化鎵規?；瘧玫牡谝徽荆I領域雖然滲透較低，但其需求也在逐步攀升，英諾賽科期待與合作伙伴共同推進更多領域的應用，構建氮化鎵生態。
出貨量突破3億顆，英諾賽科GaN技術成就新里程碑
截至2023年8月，英諾賽科氮化鎵芯片出貨量成功突破3億顆！
截至2023年Q1，英諾賽科GaN芯片出貨量累計出貨量突破1.5億顆（2022年12月：突破1億顆；2023年Q1：突破5000萬顆），這意味著，在不到半年的時間里，英諾賽科的GaN芯片出貨量相比之前翻了一番，增長勢頭迅猛，出貨量漲勢強勁，上半年銷售額增長500%。
目前，英諾賽科GaN芯片產品已在消費類（快充、手機、LED），汽車激光雷達，數據中心，新能源與儲能領域的多個應用中大批量交付，幫助客戶實現小體積、高能效、低損耗的產品設計。
英諾賽科發布100V VGaN，支持48V BMS應用
英諾賽科宣布推出 100V 雙向導通器件 INV100FQ030A，可在電池管理系統、雙向變換器的高側負荷開關、電源系統中的開關電路等領域實現高效應用。
英諾賽科產品部Shawn表示：“一顆 VGaN 可以替代兩顆共漏連接的背靠背Si MOSFET，實現電池充電和放電雙向開關，進一步減小導通電阻，降低損耗。VGaN 器件采用單 Gate 設計，通過控制 Gate到 Drain1/Drain2 的邏輯，實現充電保護可放電、放電保護可充電；同時大幅減少器件數量，縮小占板面積，降低整體系統成本?！?/p>
為便于客戶驗證和導入，英諾賽科同步提供 BMS 系統解決方案，設計方案涵蓋低邊同口、高邊同口、高邊分口等。INV100FQ030A 在電池管理系統 (BMS) 中體現出明顯優勢，具備巨大的市場潛力。
產品特性
支持雙向導通，雙向截止，無反向恢復
極低的柵極電荷
超低的導通電阻 100V/3.2mΩ
超小的封裝體積 FCQFN封裝 4x6mm
應用領域
電池管理系統 (BMS)
雙向變換器的高側負荷開關
電源系統中的開關電路
性能與優勢
INV100FQ030A與先前推出的100V單管器件INN100FQ016A，150V系列 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 三款產品采用兼容引腳設計，均為 FCQFN 4x6mm 封裝，客戶可以根據不同的應用需求進行規格選型。
INV100FQ030A 規格書首頁
英諾賽科100V 氮化鎵系列產品已量產三款WLCSP 封裝產品（INN100W032A、INN100W027A 和 INN100W070A），兩款 FCQFN 封裝產品（INN100FQ016A、INN100FQ025A）。當前新增一款FCQFN 封裝雙向導通 VGaN 芯片 INV100FQ030A，進一步豐富了 100V InnoGaN 系列，擴大應用范圍，也為更廣泛的場景提供選擇。基于持續創新與核心技術的提升，英諾賽科8英寸氮化鎵IDM模式將加速應用系統小型化、更高效、更節能。
目前，INV100FQ030A 已進入小批量試產，如需申請樣品，或查詢詳細的產品規格書、可靠性報告、仿真模型、VGaN BMS系統Demo方案等資料，可以通過英諾賽科微信公眾號私信/留言聯系獲取。
TAGOR 泰高
提供無與倫比的100W應用設計，泰高技術大功率氮化鎵射頻前端芯片解析
深圳市泰高技術有限公司是專注于氮化鎵射頻前端芯片的半導體公司。其憑借在氮化鎵射頻領域的發明專利，成功研發了一系列大功率氮化鎵射頻前端芯片。這些創新的芯片能夠顯著延長無線通信距離并提升圖像傳輸品質。采用泰高技術的氮化鎵設計，這些芯片具有更高的功率密度和更低的能耗。
這項創新技術不僅提升了產品整體性能，也對無線通信領域帶來了革命性突破。借助泰高技術的大功率氮化鎵射頻前端芯片，用戶可以享受更遠距離的無線連接和更高質量的圖像傳輸，無論是通信設備、無人機或其他需要遠程通信的場景。此外，這些芯片還表現出色的能效，能夠在保持高性能的同時降低能耗。這意味著設備在長時間使用后仍能保持穩定工作，并為環保事業作出貢獻。
泰高技術是一家專注于提供廣泛射頻開關產品的公司，產品組合包括功率范圍在10W到100W之間的平均功率射頻開關，并采用小巧的QFN封裝。與傳統的PIN二極管開關不同的是，泰高技術的產品只需2.6V到5.5V電源供應，無需額外的高壓供電或被動元件。這個設計巧妙地節約了寶貴的電路板空間，為客戶提供更大的靈活性和便利性。
此外，開關還具備低傳導電阻（Ron）和高峰值電壓承受能力，可以實現可調諧的諧波濾波效果，滿足不同應用場景對精確路由射頻信號的需求。泰高技術不斷優化射頻開關的性能，以滿足無線電頻段所需的功率輸出、隔離度和諧波性能。如果客戶還需要前端的低噪聲放大器產品，也可以提供符合各種應用場景需求的解決方案。通過提供優質的射頻開關產品和服務，致力于幫助客戶獲得更高的性能和可靠性，在無線通信領域取得成功。
泰高技術一直專注于改進射頻開關的性能，以滿足無線電頻段所需的各項要求。通過優化設計，成功提升產品的功率密度，同時降低能耗，實現了更出色的能效表現。這一創新技術將在無線通信領域帶來革命性的變革，為用戶提供更為穩定、高效的無線連接體驗。
深圳市泰高技術有限公司是一家專注于研究氮化鎵射頻前端芯片的半導體企業。憑借著在氮化鎵射頻領域的創新專利，成功地開發出了一系列高功率氮化鎵射頻前端芯片，成為國內在該領域的領導者。這些創新的芯片實現了無線通信距離和圖像傳輸質量方面的重大突破。采用泰高技術的氮化鎵設計，這些芯片具備更高的功率密度和更低的能耗。這項創新技術不僅提升了產品整體性能，對無線通信行業也帶來了革命性的影響。
通過使用公司的大功率氮化鎵射頻前端芯片，用戶可以享受到更遠距離的無線連接和高品質的圖像傳輸體驗，不論是在通信設備、無人機還是其他需要遠程通信的場景中都能得心應手。此外，這些芯片還具備出色的能效表現，既能保持高性能，又能降低能源消耗。因此，在長時間使用后，設備仍然能夠保持穩定運行，并為環保事業做出貢獻。
滿足廣泛應用，覆蓋10-100W設計需求，泰高技術引領氮化鎵射頻開關芯片
泰高技術所研發的氮化鎵射頻開關無疑是市場上最為獨一無二的產品。公司在產品類型方面擁有多樣化的選擇，包括大功率射頻開關（High Power Switch)、內置變壓模塊禁止的低噪聲開關（By Pass Switch）、天線的安全失效保護開關（Fail-Safe Switch）以及可調天線濾波器（Antenna Turning Switch）等。這些產品不僅具備出眾的性能和品質，還能滿足不同客戶的需求。海外市場也對泰高技術的產品贊譽有加，認可其在無線通信領域的引領地位。無論是在可靠性還是創新性方面，泰高技術都打破了傳統的技術界限，提供了獨特而先進的解決方案。
泰高技術的大功率射頻開關與控制器已經實現了無縫的融合，為用戶提供了極其方便的開關操作體驗。產品可支持3.3V或5.0V電源，簡化了射頻開關控制方式。與傳統的GaAS和SOI開關相比，泰高技術的產品不僅在插入損耗方面表現更佳，而且隔離性能更加出色，能夠滿足更多應用場景的需求。同時，這款大功率射頻開關與控制器的獨特設計，使其成為一款非常出色的產品。
泰高技術的大功率對稱型射頻開關產品具有以下優勢：
1. 寬波段：產品適用于廣泛的頻率范圍，主要工作頻段為30MHz-6GHz。
2. 高隔離度：高達42db的隔離度，有效減少信號之間的干擾。
3. 低插入損耗：插入損耗僅為0.2db以下，信號通過開關時產生的能量損失非常小，從而降低了功耗和發熱問題。
4. 快速切換速度：開關的切換速度非常迅速，能夠滿足實時控制的需求。
5. 高可靠性：產品采用對稱型設計，降低了故障率，提高了設備的可靠性。
6. 較少的外圍器件：與傳統的Pin二極管相比，泰高技術的產品外圍零件數量大大減少，最少只需要2pcs，從而節省了布板空間的使用。
7. 低能耗：平均只需要0.6mW，進一步降低了能源消耗。
泰高技術的氮化鎵射頻開關：強勁應對高功率射頻設計的王牌
被廣泛應用于高功率放大器中，其優勢主要體現在寬帶隙 GaN 器件具有高擊穿電壓和高載流子密度，從而實現高功率密度。然而，人們對于 GaN 在大功率開關技術方面的優勢并不太了解。實際上，GaN 改善功率放大器性能的特性同樣適用于實現出色的大功率射頻開關。
GaN 射頻開關內部框圖
在高功率射頻開關中，對射頻器件有兩個主要的要求：ON臂必須具備處理極高射頻電流的能力，而OFF臂則需要能夠應對非常大的射頻電壓。從表1可以看出，射頻開關所需的峰值射頻電壓和電流與射頻功率呈現正相關的關系。舉例來說，如果在一個50Ω的系統中產生10W的射頻功率，則需要處理32V的峰值電壓和600mA的峰值電流。當駐波比為4:1時，在典型射頻前端部分，開關必須能夠處理超過50V和1A的峰值電壓和電流。如果產生的射頻功率為100W，則開關需要處理160V的峰值電壓和3.2A的峰值電流。因此，射頻開關的設計必須能夠承受高電壓和高電流的要求。此外，還需要考慮安全性和可靠性等因素。
另一個關鍵參數是 FoM（figure of merit）=（Ron*Coff/VBV）。其中，Ron 代表開關的導通電阻，Coff 代表關斷電容，VBV 代表擊穿電壓。FoM 的值越小，技術越優越。泰高技術的第二代 GaN 技術的 FoM 為 3 fs/V。隨著技術的成熟和改進，下一代的 FoM 有望進一步提高，從而進一步改善開關性能。
GaN 與 PIN 二極管射頻開關的比較
泰高技術的GaN射頻開關采用耗盡型模式GaN HEMT技術，相較于PIN二極管射頻開關具有許多優勢。首先，GaN HEMT具有高擊穿電壓，每毫米的飽和電流可接近1A，因此在50Ω系統中，僅需2至3毫米的器件即可滿足100W功率的峰值電流要求。與絕緣體上硅（SOI）開關類似，GaN射頻開關使用柵極電壓來控制開關功能。然而，GaN器件的擊穿電壓遠高于SOI，SOI的擊穿電壓一般約為3V。這意味著在高功率開關中，無需堆疊多個器件，仍能滿足要求，從而降低了Ron和Coff。
值得注意的是，由于這些器件處于耗盡模式，關閉時需要負電壓，而打開則需要零電壓。泰高技術的開關控制器芯片與GaN芯片封裝在一起，通過控制器產生的柵極電壓信號來控制所有GaN器件?？刂破鲀炔慨a生負電壓，只需要最低2.7V（最高5.5V）的電源和1.2V（最高5.25V）的邏輯信號即可控制射頻開關狀態。此外，唯一需要的外部元件是連接在電荷泵引腳上的旁路電容。這些特點使得泰高技術的GaN射頻開關成為一種非常方便且高效的選擇。
5G室外一體機微基站的理想選擇，整合雙通道射頻前端多芯片模塊，采用先進的氮化鎵工藝
泰高技術推出了適用于時分雙工（TDD）系統的多芯片模塊，該模塊集成了低噪聲放大器（LNA）和氮化鎵工藝的高功率開關TGFE0220D，覆蓋了2.0 GHz至4.2 GHz的蜂窩頻段，并針對M-MIMO天線接口進行了優化設計。該系列器件通過GaN工藝集成了高功率開關和GaAs工藝集成的高性能低噪聲放大器，具備高射頻功率處理能力和高度集成度，既不犧牲性能也不犧牲成本。
雙通道架構
TGFE0220D的m-MIMO RF前端設計采用雙通道架構，如圖2所示。該器件集成了高功率開關和兩級LNA。在接收模式下，開關將輸入信號路由至LNA輸入端。在發射模式下，輸入經過50 Ω端口路由，以確保與天線接口的正確匹配，并將LNA與天線之間的任何反射功率隔離。通過集成的雙通道架構，設計人員可以輕松擴展MIMO，超越傳統器件8×8（8個發射器×8個接收器）的限制，實現16×16、32×32、64×64甚至更高的配置。
M-MIMO射頻前端框圖。
高功率保護開關
該器件包含一種采用氮化鎵（GaN）工藝設計的大功率開關，無需額外的外部組件來產生偏置。該開關適用于5V單電源運行，僅消耗5mA的電流，并可以直接與標準數字微控制器連接，無需采用負電壓或電平轉換器。相比于基于PIN二極管開關的實現方案，氮化鎵開關可以節省用戶約80%的偏置功率和90%的電路板空間。
在連續運行時，該開關能夠處理峰均比（PAR）為9 dB的20 W平均射頻信號，并且在故障情況下能夠承受兩倍額定功率。TGFE0220D是市場上首批具備20 W功率處理能力的產品，因此非常適用于高功率M-MIMO設計。通過向每個天線元件傳輸更多的功率，可以減少傳輸通道的數量，并從基站中獲取相同的射頻功率。TGFE0220D的架構如圖3所示?？梢钥闯?，兩個通道的大功率開關都由同一器件引腳供電和控制，而低噪聲放大器則有自己獨立的電源和控制信號設計。同時，該器件在故障情況下也能夠正常工作。
TGFE0220D電路架構。
低噪聲系數
本款兩級低噪聲放大器（LNA）采用GaAs工藝設計，單電源供電為5 V，無需外部偏置電感器。在頻率范圍內，其增益特性保持平坦。以3.6GHz為條件，高增益模式和低增益模式的編程分別為32 dB和13 dB。該器件還支持低功耗模式，可以關閉LNA的電源以節省偏置電源。其噪聲系數為1.0 dB（包括開關的插入損耗），使其非常適用于高功率和低功率M-MIMO系統。圖4展示了TGFE0220D在指定頻段上的噪聲系數性能。
具體來說：
在3.6GHz頻率下，高增益模式下的噪聲系數為1.0dB；
在3.6GHz頻率下，低增益模式下的噪聲系數為0.9dB；
RXOUT-CHA和RXOUT-CHB之間的隔離度為40dB（典型值）；
TERM-CHA和TERM-CHB之間的隔離度為55 dB（典型值）；
在3600MHz處的插入損耗為0.45dB（TX模式）。
TGFE0220D噪聲系數。
小尺寸，外部組件數量少
該器件具有以下特點：除了電源引腳上的主要解耦電容和射頻信號引腳上的隔直電容外，無需添加任何調諧或匹配元件。射頻輸入和輸出采用50Ω匹配。在LNA設計中，匹配和偏置電感已經集成其中。這一設計不僅節省了昂貴的組件材料成本，而且簡化了硬件設計中相鄰收發器之間通道間串擾的問題。該器件采用6 mm × 6 mm表貼封裝形式，并附帶散熱增強底板。其額定殼溫范圍為-40°C到+105°C。
通過查看圖5，您可以看到該器件是如何安裝在其評估板上的。如果您對該評估板感興趣，您可以直接聯系泰高技術或其授權代理商獲取。
TGFE0220D for 2.0GHz~4.2GHz評估板。
功能對比A品牌
泰高技術的TGFE0220D與A品牌的ADRF5545A和ADRF5515在P2P兼容性方面完全相同，并且在性能上超過了A品牌。據圖6顯示，TGFE0220D的性能對比表明它具有出色的表現。
TGFE0220D是一款兼容ADRF5545A和ADRF5515的芯片，但是它們之間存在三個顯著的差異。首先，TGFE0220D的第4個引腳無法連接到地線，因此需要對PCB進行微小的調整。其次，與ADRF5545A相比，TGFE0220D具有更優秀的噪聲系數，類似于ADRF5515。在應用中，噪聲系數發揮著至關重要的作用。最后，TGFE0220D的插入損耗也優于ADRF5545A，類似于ADRF5515。這意味著在使用TGFE0220D時，信號插入時的損耗更小。
這些特點使得TGFE0220D成為非常值得考慮的芯片選擇。它不僅與A品牌兼容，而且在性能方面表現卓越。無論是優化噪聲系數還是降低插入損耗，TGFE0220D都可以為用戶提供更好的性能和信號質量。對于需要高性能和可靠性的應用場景，TGFE0220D是一個理想的選擇。
TGFE0220D 性能對比表。
深圳市泰高技術有限公司是一家專注于氮化鎵射頻前端芯片的半導體企業。憑借自身在該領域的發明專利，我們成功研發了一系列高功率氮化鎵射頻前端芯片。這些創新產品不僅可以顯著擴展無線通信的覆蓋范圍，還能提升圖像傳輸的質量。通過采用泰高技術的氮化鎵設計方法，這些芯片實現了更高的功率密度和更低的能耗。這項創新技術不僅提升了整體產品性能，還對無線通信領域帶來了革命性的突破。借助我們的高功率氮化鎵射頻前端芯片，用戶可以享受到更遠距離的無線連接和更高質量的圖像傳輸，無論是在通信設備、無人機或其他需要遠程通信的場景中。此外，這些芯片還具有出色的能效表現，能夠在保持高性能的同時降低能耗。這意味著設備可以長時間穩定運行，并為環保事業做出貢獻。
泰高技術-讓您實現超低噪聲性能（低于-134dBm）的高功率氮化鎵射頻開關
泰高技術提供了一系列高功率氮化鎵射頻開關產品，這些開關內部包含GaN芯片和CMOS控制器芯片。為了正確控制開關裝置，泰高GaN開關采用了集成控制器設計，該設計需要負電壓。為了生成負電壓，控制器內部使用電荷泵電路。
不過，電荷泵電路在切換頻率和切換頻率的諧波處會產生干擾。為了解決這個問題，圖1顯示了通過連接在IC的VCP引腳上的外部旁路電容器來降低這些切換干擾的方法。推薦的旁路電容器值為1nF，電壓等級為50V。在操作頻率低于300MHz時，典型的干擾性能為-110dBm至-130dBm，并且分辨帶寬為10kHz。圖2展示了TGSB2320AD; 30W 4T RF開關的所有四個RF端口的低頻噪聲性能，還顯示了與RF開關連接時的噪聲水平，以展示測量噪聲底線。
在超過300MHz的操作頻率下，干擾水平應低于-135dBm，大多數應用情況下這已經足夠。但對于在VHF和UHF頻段操作的應用以及RF開關位于系統的接收路徑中的情況，這種干擾性能可能不足夠。在通道帶寬為10kHz的情況下，需要低于-134dBm的噪聲底線（即熱噪聲底線）。如圖2所示，采用內置電荷泵選項的泰高開關不能滿足這種噪聲要求。本應用指南提供了一個簡單的解決方案，適用于那些需要在操作頻率低于300MHz時，噪聲低于-135dBm（10kHz RBW）的應用。
TGSB2320AD Pinout
Noise performance for TGSB2320AD
解決方案 ：
泰高技術為需要低噪聲性能的應用提供了一系列具有外部電荷泵電壓選項的開關產品。這些開關需要外部負電壓來工作。根據圖3所示，只需使用帶有內部電荷泵的泰高技術氮化鎵射頻開關產品，就可以輕松地提供所需的負電壓。泰高技術的氮化鎵射頻開關通過設計內部電荷泵電路，使其能夠為帶有外部電荷泵選項的開關提供足夠的電流。
我們建議將每個開關靠近其相應的旁路電容器。在一些系統中，可能存在多個射頻開關。在這種情況下，可以使用VCP電壓從不需要非常低噪聲性能的開關（如位于發送路徑的開關）提供給需要低噪聲性能的開關（如位于VHF和UHF接收路徑的開關）。通過這樣的配置，具有外部電荷泵選項的開關將能夠實現超低噪聲性能（<-134dBm），滿足接收機靈敏度的要求。
Low noise solution (Allowed)
重要說明：請注意，泰高技術的高功率氮化鎵射頻對稱開關對稱帶有內置電荷泵，因此在連接時只能與一個具有外部電荷泵的開關相連。如果系統中存在多個帶有外部電荷泵的開關，則應確保第二個開關連接到具有內置電荷泵選項的不同泰高技術氮化鎵RF開關，如圖3所示的解決方案所示。但是，請注意，圖4所示的解決方案則是不被允許的。另外，請務必確保兩個開關（即內置電荷泵選項和外部電荷泵選項）都由同一穩壓器供電。此外，為了保證性能穩定，建議兩個開關都配備1nF或更高的旁路電容，并且這些旁路電容應盡可能靠近各自的開關位置。
加深合作，攜手前進，泰高技術與鎵宏半導體共同推動GaN領域的戰略合作
深圳市泰高技術與深圳鎵宏半導體有限公司近日達成了一項全面戰略合作協議，旨在增強企業的可持續發展能力，提升產品競爭力。該合作協議基于優勢互補和共同發展的原則，在芯片制造領域展開合作，涵蓋硅基氮化鎵、碳化硅基氮化鎵和藍寶石基氮化鎵外延片等領域。這一合作舉措將有助于泰高技術積極推進產品化進程，并對未來的經營業績產生積極作用。
根據擬簽訂的《深圳市泰高技術有限公司與深圳鎵宏半導體有限公司戰略合作框架協議》，深圳鎵宏半導體將全力支持泰高技術的氮化鎵射頻與功率芯片及工藝研發，并提供長期、穩定、優質的外延片服務。協議進一步明確了雙方在工程上相互支持的合作方式。
深圳鎵宏半導體及其子公司江蘇鎵宏半導體，引進美國領先公司的核心技術團隊，以團隊在海外積累的大功率氮化鎵芯片規模化設計及生產技術經驗為基礎，結合國內市場優勢，著手建設氮化鎵功率芯片IDM項目。此外，鎵宏與以色列的VisIC、加拿大的Gan System（2023年3月被英飛凌收購）兩家全球領先的氮化鎵大功率芯片設計公司建立起了技術與業務合作伙伴關系。目前，首條試驗線已覆蓋了6英寸氮化鎵外延片生產、器件制造和應用模組開發等環節。除了自主研發功率芯片，還提供外延和器件代工業務。
根據《深圳市泰高技術有限公司與深圳鎵宏半導體有限公司戰略合作框架協議》，泰高技術將成為深圳鎵宏半導體芯片制造的重要戰略合作伙伴。雙方將在硅基氮化鎵、碳化硅基氮化鎵和藍寶石基氮化鎵的外延片制造領域展開長期合作。深圳鎵宏半導體將全力支持泰高技術的氮化鎵射頻與功率芯片的工藝研發，并提供長期、穩定、優質的外延片服務。雙方還將在工程上相互支持，共同討論需求和產能計劃，加深合作。這些合作內容將有助于推動產品化進程，并對企業的可持續發展和產品競爭力產生積極影響。
協議的簽署對于雙方來說具有重要的意義和積極的影響。首先，該合作將建立起深圳泰高技術與深圳鎵宏半導體之間緊密的戰略合作伙伴關系，雙方將共同致力于推動氮化鎵射頻和功率芯片的研發和創新。通過結合泰高技術在發射機模塊和功率模塊領域的優勢，以及鎵宏半導體在高功率氮化鎵芯片制造及外延片服務方面的專業知識和經驗，雙方將共同努力推動產品平臺技術的進一步發展，從而提升企業的產品競爭力。
其次，該合作對于泰高技術的產品平臺技術和產業的創新發展具有重要意義。通過借助鎵宏半導體在氮化鎵外延片提供方面的優勢，泰高技術能夠擁有長期、穩定、優質的外延片服務，從而加強其產品制造的可持續發展能力。此外，雙方的工程支持和協作將進一步推動氮化鎵射頻和功率芯片的工藝研發，為泰高技術的產品化進程提供有力支撐。
最后，該合作協議預計對深圳泰高技術未來年度的經營業績產生積極的影響。通過與鎵宏半導體的戰略合作，泰高技術能夠進一步擴大其產品的品類。
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